[发明专利]一种利用无机粉体制备超长SiC纳米线的方法

摘要

一种利用无机粉体制备超长SiC纳米线的方法，它涉及一种超长SiC纳米线的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的超长SiC纳米线设备要求高、操作过程复杂、安全性低、以及成本高等技术问题。本方法为：(1)按比例称取原料和催化剂；(2)机械混合以上粉体并装入瓷方舟中；(3)将瓷方舟推送至管式炉中央，在氩气保护、常压条件下按照一定程序升降温即得超长SiC纳米线。本发明具有设备要求低、操作过程简单、安全系数高以及生产成本低等优点。该SiC纳米线不仅可用于制备发光二极管、激光二极管等纳米电子元器件，同时还可以作为金属基、陶瓷基和聚合物等复合材料的增强相材料。本发明属于纳米线的制备领域。

主权项

一种利用无机粉体制备超长SiC纳米线的方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的：一、按照硅碳的摩尔比为1﹕(1～3)的比例称取原料，再以硅元素质量分数的10～30％称取催化剂；其中，所述的原料为炭黑、硅粉和二氧化硅，所述的硅粉和二氧化硅的摩尔数相等；二、将步骤一称取的原料和催化剂在混合罐中以100～300r/min转速机械混合10min，获得含催化剂的炭黑‑硅‑二氧化硅实验粉体；三、将步骤二得到的含催化剂的炭黑‑硅‑二氧化硅实验粉体装入瓷方舟中，将瓷方舟推至管式炉中，然后在氩气保护、常压条件下以5℃/min的升温速度升至200℃，保温20min；再在氩气保护、常压条件下以10℃/min的升温速度升至800℃，保温120min；再在氩气保护、常压条件下以5℃/min的升温速度升至1250～1450℃，保温1～4h；再在氩气保护、常压条件下以5℃/min的降温速度降至700℃，然后再在氩气保护、常压条件下以10℃/min的降温速度降至室温，即在瓷方舟四壁或者粉体表面获得超长SiC纳米线，完成所述的利用无机粉体制备超长SiC纳米线。