[发明专利]一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量M相二氧化钒纳米线的方法

摘要

本发明提供了一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量M相二氧化钒纳米线的方法，包括：选择VO2靶材，纯度为99.5％至99.99％，放置于可抽真空腔体中；控制腔体本底真空度、氧压大小、沉积温度、退火温度、退火时间、激光功率、激光频率、激光脉冲数和基底。本发明采用脉冲激光沉积技术，以二氧化钒靶材为溅射材料，原料简单，溅射在O2氛围中进行，不论是反应的原料还是反应过程都无毒害，环境友好。生长方法简单易操作，生长VO2(M)纳米线所需温度低，并且可以在非常短的时间内得到大量形貌、结构和长径比优异的纳米线。所得材料可以广泛应用于电阻开关、电池材料、热敏元器件、化学传感器等等。

主权项

1.一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量M相二氧化钒纳米线的方法，其特征在于：脉冲激光沉积时选用VO2靶材，纯度99.99％，溅射时所用O2的纯度为99.999％；激光器为KrF准分子激光器，波长为248nm，溅射时将腔体内的本底真空抽至3.0×10-4以上，基底升温至700℃，然后通过气体流量计控制送入腔体内O2的含量，腔体内的氧压控制在5Pa，基底选用镀有一层SiO2层的Si片，SiO2层厚度100nm，基底与靶材的间距控制在5cm；调节激光部分的参数，激光能量为300mJ ，脉冲数为3000个脉冲，激光频率10Hz；溅射过程中靶材和样品台匀速转动以保证溅射的均匀性，溅射完毕后保温退火10min，最后自然降至室温；或脉冲激光沉积时选用VO2靶材，纯度99.99％，溅射时所用O2的纯度为99.999％；激光器为KrF准分子激光器，波长为248nm，溅射时将腔体内的本底真空抽至3.0×10-4以上，基底升温至700℃，然后通过气体流量计控制送入腔体内O2的含量，腔体内的氧压控制在5Pa，基底选用镀有一层SiO2层的Si片，SiO2层厚度100nm，基底与靶材的间距控制在5cm；调节激光部分的参数，激光能量为300mj，脉冲数为6000个脉冲，激光频率10Hz；溅射过程中靶材和样品台匀速转动以保证溅射的均匀性，溅射完毕后保温退火10min，最后自然降至室温。