[发明专利]封装基板的形成方法在审
| 申请号： | 201510179892.0 | 申请日： | 2015-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN105023838A | 公开（公告）日： | 2015-11-04 |
| 发明（设计）人： | 铃木克彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种封装基板的形成方法，能够防止磨削磨具或刀块切削刃过度磨损。该封装基板的形成方法是形成封装基板的形成方法，所述封装基板具备：基板；搭载在该基板上的多个器件芯片；和在该基板上密封该器件芯片的密封树脂层，所述封装基板的形成方法的特征在于包括：密封树脂层形成步骤，在该基板上形成对搭载于基板上的多个器件芯片进行密封的密封树脂层；半硬化步骤，在实施了该密封树脂层形成步骤后，使该密封树脂层半硬化；薄化步骤，在实施了该半硬化步骤后，利用磨削构件或刀块切削构件使该密封树脂层变薄为规定的厚度；和完全硬化步骤，在实施了该薄化步骤后，使该密封树脂层完全硬化。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种封装基板的形成方法，其是形成封装基板的形成方法，所述封装基板具备：基板；搭载在该基板上的多个器件芯片；和在该基板上密封该器件芯片的密封树脂层，所述封装基板的形成方法的特征在于包括：密封树脂层形成步骤，在基板上形成对搭载于该基板上的多个器件芯片进行密封的密封树脂层；半硬化步骤，在实施了该密封树脂层形成步骤后，使该密封树脂层半硬化；薄化步骤，在实施了该半硬化步骤后，利用磨削构件或刀块切削构件使该密封树脂层变薄为规定的厚度；和完全硬化步骤，在实施了该薄化步骤后，使该密封树脂层完全硬化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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