[发明专利]一种低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材及其制备方法。其由0.03‑0.5wt％的硼、99.4wt％‑99.9wt％的硅及杂质制备得到。本发明还保护了所述微硼溅射旋转硅靶材的制备方法。本发明通过在硅旋转靶材材料的硅中添加硼，并引进新的生产工艺，得到的产品电阻率更低，结合强度高，极大的提高了产品性能，可广泛用于液晶显示玻璃镀膜、光学镀膜等领域，对行业的进步有极大的推动作用。

主权项

一种低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材，其特征在于，由如下重量百分比的各成分制备得到，0.03％‑0.5％的硼、99.4％‑99.9％的硅，余下为杂质组成；所述低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材的制备方法，其步骤为，1)不锈钢背管制备：下料：用锯床锯取指定长度的不锈钢管，钢管的内径为125mm，外径为133mm；车管：将不锈钢管两端按产品图纸分别车出凹槽、斜角；表面喷砂粗化：再将不锈钢管通过喷砂机将其表面喷砂处理；打底：取出粗化后的不锈钢管，通过电弧喷涂机，在其表面喷涂一层青铜铝丝材料层，涂层厚度为0.5mm，得到制备好的不锈钢背管；2)含硼硅粉末制备熔炼：按一定比例硅粉和硼粉混合后，进行高温熔炼，熔炼成硅硼锭；破碎球磨：取成型后的硅硼锭进行机械破碎、球磨、过筛，制备出45‑150μm的硅硼熔炼粉末；烘干：将所得的硅硼熔炼粉末置于烘干炉中烘干成硅硼粉末材料；真空等离子喷涂：在真空状态下，使用等离子体为热源将所得硅硼粉末材料加热到熔融或半熔融状态并高速冲击到制备好的不锈钢背管表面，形成致密硅硼靶材涂层；喷涂电压75‑85V、喷涂电流550‑600A、真空度为‑0.03‑‑0.04Mpa、氩气流量为2800‑3200L/h；机械加工：待真空等离子喷涂所得靶材到达所定尺寸后，对成型的旋转靶材进行机械加工和电加工，加工完毕后再进行清洗、烘干即可。