[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510184202.0 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104766893B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李娟;张建军;吴玉祥;熊绍珍;蔡宏琨;倪牮;杜阳阳 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，由衬底、栅电极、栅绝缘层、有源沟道层和源漏电极叠加组成，其中有源沟道层为有机/无机复合钙钛矿薄膜，各层薄膜的厚度为：栅电极1μm、栅绝缘层200‑400nm、有源沟道层200‑300nm、源漏电极1μm。本发明的优点是：该薄膜晶体管将有机/无机复合钙钛矿材料用于薄膜晶体管的有源沟道层，结合了无机半导体的高迁移率和有机半导体的柔韧、便宜，低温易制备等优点，既具有比有机薄膜晶体管更高的驱动能力，同时又兼具简单、低成本及易于在柔性衬底上的大面积制备的能力；其制备方法简单易行，有利于工业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于：由衬底、栅电极、栅绝缘层、有源沟道层和源漏电极叠加组成，其中有源沟道层为有机/无机复合钙钛矿薄膜，各层薄膜的厚度为：栅电极1μm、栅绝缘层200‑400nm、有源沟道层200‑300nm、源漏电极1μm；所述有机/无机复合钙钛矿薄膜为CH3NH3PbI3，CH3NH3PbI3具有明显的晶化峰，且分别在2θ＝13.98°、28.32°、31.74°处对应出现(110)、(220)和(310)三个主要晶向。
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