[发明专利]沟槽栅MOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201510184263.7 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104795446B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陈正嵘 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅MOSFET，包括形成于硅衬底中的栅沟槽，栅沟槽的位置由硬掩膜定义；在栅沟槽内表面形成有栅介质层并填满多晶硅栅；在各栅沟槽顶部形成有局部场氧化层，局部场氧化层的位置采用定义栅沟槽的位置的硬掩膜定义，局部场氧化层还延伸到栅沟槽外部的硅中并形成鸟嘴；源区形成于相邻两个栅沟槽之间的硅衬底表面；源区的接触孔的位置由相邻两个局部场氧化层自对准定义，源区的接触孔和栅沟槽之间的间距由局部场氧化层的鸟嘴的长度确定。本发明还公开了一种沟槽栅MOSFET的制造方法。本发明能实现源区的接触孔的自对准定义，能使器件的尺寸得到最大限度的缩小，提高集成度以及降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽栅MOSFET，其特征在于，包括：形成于硅衬底中的栅沟槽，所述栅沟槽的位置由形成于硅衬底表面的第一氧化层和第二氮化硅层组成的硬掩膜定义；在所述栅沟槽的底部表面和侧壁表面形成有栅介质层；多晶硅栅完全填充形成有所述栅介质层的所述栅沟槽；在各所述栅沟槽顶部形成有局部场氧化层，所述局部场氧化层的位置采用定义所述栅沟槽的位置的所述硬掩膜定义，所述局部场氧化层自对准对所述多晶硅栅的进行局部场氧化形成，所述局部场氧化层还延伸到所述栅沟槽外部的硅中并形成鸟嘴；源区形成于相邻两个所述栅沟槽之间的所述硅衬底表面；所述源区的接触孔的位置由相邻两个所述局部场氧化层自对准定义，所述源区的接触孔和所述栅沟槽之间的间距由所述局部场氧化层的鸟嘴的长度确定。
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