[发明专利]平面型VDMOS器件制作方法

摘要

本发明提供一种平面型VDMOS器件制作方法，包括：提供衬底，衬底表面上依次形成有栅氧化层，多晶硅层和第一氮化硅层；去除预设的第一区域以外的栅氧化层，多晶硅层和第一氮化硅层，保留位于第一区域内的栅氧化层，多晶硅层和第一氮化硅层；在整个器件的表面形成第二氮化硅层，通过氮化硅回刻形成栅极；通过自对准注入，形成体区和源区；通过刻蚀，去除位于栅极下方以外的体区和源区，且刻蚀的深度大于体区的深度；形成位于体区边缘下方的缓冲区；在整个器件表面淀积介质层，去除预设的第三区域内的介质层，保留包围部分缓冲区的介质层；淀积金属层。本发明提供的平面型VDMOS器件制作方法，制造工艺较简单，制造成本较低。

主权项

1.一种平面型VDMOS器件制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面上依次形成有栅氧化层，多晶硅层和第一氮化硅层；去除预设的第一区域以外的所述栅氧化层，多晶硅层和第一氮化硅层，以保留位于所述第一区域内的所述栅氧化层，多晶硅层和第一氮化硅层；在整个器件的表面形成第二氮化硅层，去除预设区域内的所述第二氮化硅层，仅保留位于所述栅氧化层，多晶硅层和第一氮化硅层侧壁上的所述第二氮化硅层，形成栅极；通过自对准注入，形成所述平面型VDMOS器件的体区和源区；通过刻蚀，去除位于预设的第二区域内的所述体区和源区，仅保留位于所述栅极下方的所述体区和源区，且刻蚀的深度大于所述体区的深度；形成位于所述体区边缘下方的缓冲区；在整个器件表面淀积介质层，去除预设的第三区域内的所述介质层，保留包围部分所述缓冲区的所述介质层；淀积金属层，并完成所述金属层的光刻及刻蚀，形成源极金属；其中，所述形成位于所述体区边缘下方的缓冲区，包括：通过倾斜注入，形成位于所述体区边缘下方和所述衬底表面内的缓冲区；通过对所述衬底的表面进行刻蚀，去除所述体区下方以外的所述缓冲区，仅保留位于所述体区边缘下方的所述缓冲区。