[发明专利]阵列基板及其制作方法以及显示装置在审
| 申请号： | 201510184913.8 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104810374A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 齐永莲;张锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种阵列基板及其制作方法以及显示装置，上述方法包括：采用氮化铜形成半导体层；对所述半导体层的第一区域和第二区域进行处理，使其电阻率小于预设值；将所述第一区域和第二区域的处理后的半导体层分别作为源极和漏极；将所述半导体层的第三区域作为有源层。根据本发明的技术方案，可以通过对氮化铜进行掺杂处理，将源极、漏极和有源层制备在同一层中，从而减小阵列基板的厚度，简化阵列基板的制作工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：采用氮化铜形成半导体层；对所述半导体层的第一区域和第二区域进行处理，使其电阻率小于预设值；将所述第一区域和第二区域的处理后的半导体层分别作为源极和漏极；将所述半导体层的第三区域作为有源层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
