[发明专利]沟槽型功率MOS晶体管及其制造方法和集成电路在审
| 申请号： | 201510187498.1 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104779294A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 吴亚贞;刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽型功率MOS晶体管及其制造方法和集成电路，其中，所述沟槽型功率MOS晶体管包括：衬底，所述衬底中形成有沟槽；形成于所述衬底上并填满所述沟槽的多晶硅栅极；其中，所述多晶硅栅极中设置有一多晶硅化物层。在本发明提供的沟槽型功率MOS晶体管及其制造方法和集成电路中，通过在多晶硅栅极的中间设置多晶硅化物层，有效地降低了栅极结构的电阻，从而降低了沟槽型功率MOS晶体管的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 mos 晶体管 及其 制造 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
一种沟槽型功率MOS晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有沟槽；形成于所述衬底上并填满所述沟槽的多晶硅栅极；其中，所述多晶硅栅极中设置有一多晶硅化物层。
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