[发明专利]一种超胞结构直接发育的纳米级β-Li2TiO3粉体的超临界制备方法有效
| 申请号： | 201510187961.2 | 申请日： | 2015-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN104860346A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 于成龙;王斐;郝欣;王秀峰;曹舒尧;高丹鹏;崔云;王道益;沈清;李嘉胤;贾钦相;宁青菊;江红涛;王莉丽 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C01G23/00 | 分类号： | C01G23/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超胞结构直接发育的纳米级β-Li2TiO3粉体的超临界制备方法，1)按照Li﹕Ti的摩尔比为(1.85～2.25)﹕1称取TiO2粉体和LiOH·H2O粉体，将二者加入高压容器中，然后向高压容器中加入蒸馏水，混合均匀，并控制Li+浓度为0.1～2mol/L；2)将高压容器置于高温干燥箱中，于375～450℃下充分反应；3)将高压容器置于烘箱中，经干燥得到β-Li2TiO3粉体；4)将步骤3)得到的β-Li2TiO3粉体研磨均匀，即得到纳米级β-Li2TiO3粉体。本发明的制备方法操作简单，制得的β-Li2TiO3粉体原子有序化程度高，超胞结构发育良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 直接 发育 纳米 li sub tio 临界 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超胞结构直接发育的纳米级β‑Li2TiO3粉体的超临界制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)按照Li﹕Ti的摩尔比为(1.85～2.25)﹕1称取TiO2粉体和LiOH·H2O粉体，将二者加入高压容器中，然后向高压容器中加入蒸馏水，混合均匀，并控制Li+浓度为0.1～2mol/L；2)将高压容器置于高温干燥箱中，于375～450℃下充分反应；3)将高压容器置于烘箱中，经干燥得到β‑Li2TiO3粉体；4)将步骤3)得到的β‑Li2TiO3粉体研磨均匀，即得到纳米级β‑Li2TiO3粉体。
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