[发明专利]超大面阵CMOS图像传感器的多功能列时序控制电路在审
| 申请号： | 201510188859.4 | 申请日： | 2015-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN104796640A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 张曼;汪西虎;徐晚成;郭仲杰;张先娆 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 |
| 主分类号： | H04N5/378 | 分类号： | H04N5/378;H04N5/374 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710068 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种超大面阵CMOS图像传感器的多功能列时序控制电路，包括P级串行的S列缓冲控制信号产生子电路，其中S列缓冲控制信号产生子电路由N级串行的四列缓冲控制信号产生子电路构成，四列缓冲控制信号产生子电路受像元合并信号的控制，具有非像元合并与像元合并两种工作模式：在非像元合并工作模式下，产生所有列的输出控制信号；在像元合并工作模式下，产生间隔列输出的控制信号；所述的S列缓冲控制信号产生子电路受地址处理子电路产生的起始选中信号和结束选中信号的控制，对列时序控制电路的入口位置和结束位置进行选择，以此实现电路的开窗功能。本发明能够同时实现像元合并与开窗功能，并且消除了毛刺，具有可靠性高以及易于扩展等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 大面 cmos 图像传感器 多功能 时序 控制电路 | ||
【主权项】：
一种超大面阵CMOS图像传感器的多功能列时序控制电路，其特征在于：包括由N级串行的四列缓冲控制信号产生子电路构成的S列缓冲控制信号产生子电路，第一级四列缓冲控制信号产生子电路的两个输入分别连接指针本地化与整形子电路的输出以及上一级S列缓冲控制信号产生子电路的输出；所述的四列缓冲控制信号产生子电路受像元合并信号的控制，具有非像元合并与像元合并两种工作模式：在非像元合并工作模式下，产生所有列的输出控制信号；在像元合并工作模式下，产生间隔列输出的控制信号；所述的N、S为正整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所，未经中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510188859.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新型医疗设备维修机
- 下一篇：拍照的方法、装置及移动终端
