[发明专利]一种抗读干扰的阻变存储器读方法在审
| 申请号： | 201510188989.8 | 申请日： | 2015-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN104766627A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张锋;项中元 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种抗读干扰的阻变存储器读方法，包括：判断读使能是否有效，如果无效继续等待读使能有效；读使能有效后对读地址进行译码，映射到相应的阻变存储器的字；在读地址选中的阻变存储器的字的各个阻变单元上加相应的正向读电压Vr，持续时间T；将读出的数据写入读出寄存器buffer；判断读出的数据中阻变单元存储的数据是否存在“0”，如果存在“0”则执行下一步，否则返回继续判断读使能是否有效；在后台对阻变单元存储的数据为“0”的阻变单元进行一次ReRead操作；完成以上操作后返回继续判断读使能是否有效。本发明通过在阻变存储器的读过程中添加了后台ReRead过程，解决了由于读干扰导致的数据翻转失效问题，提高了阻变存储器数据存储的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 干扰 存储器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抗读干扰的阻变存储器读方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：判断读使能是否有效，如果读使能无效则继续等待，如果读使能有效，则执行步骤2；步骤2：读使能有效后对读地址进行译码，映射到相应的阻变存储器的字；步骤3：在读地址选中的阻变存储器的字的各阻变单元上加相应的正向读电压Vr，持续时间T；步骤4：将读出的阻变单元存储的数据写入读出寄存器，并判断读出的阻变单元存储的数据是否存在“0”，如果存在“0”则执行步骤5，否则返回执行步骤1；步骤5：对存储的数据为“0”的阻变单元进行一次再读操作，之后返回执行步骤1；其中，对存储的数据为“0”的阻变单元进行再读操作，是通过加反向的读电压-Vr，持续时间T来进行的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510188989.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
