[发明专利]一种具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极有效
申请号: | 201510189172.2 | 申请日: | 2015-04-21 |
公开(公告)号: | CN104779306B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 刘友文;薛惠丹;吴彤;王吉明 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/054;H01L31/18 |
代理公司: | 南京钟山专利代理有限公司32252 | 代理人: | 戴朝荣 |
地址: | 211100 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极,其结构为,太阳能电池栅极的上部为二氧化硅基底,在所述的二氧化硅基底上设有二氧化硅凸起,所述的二氧化硅凸起是空心圆柱形,内部为圆柱形空腔;除了二氧化硅凸起部位,二氧化硅基底的其他位置的上表面都附着有金属膜;在太阳能电池栅极上还设有金属伞状塞,所述的金属伞状塞包括伞柄和伞盖,所述的伞柄位于二氧化硅凸起的圆柱形空腔内。本发明将伞状塞的结构用于太阳能电池栅极,用透光性较高的该结构代替完全不透光的金属条,提高入射光的面积,从而提高光电转换率。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 伞状塞 波长 结构 太阳能电池 栅极 | ||
【主权项】:
一种具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极,其特征在于:太阳能电池栅极上设有金属伞状塞的亚波长增透结构;太阳能电池栅极的表面为二氧化硅基底,在所述的二氧化硅基底上设有二氧化硅凸起,所述的二氧化硅凸起是空心圆柱形,内部为圆柱形空腔;除了二氧化硅凸起部位,二氧化硅基底的其他位置的上表面都附着有金属膜;金属伞状塞的亚波长增透结构包括伞柄和伞盖,所述的伞柄位于二氧化硅凸起的圆柱形空腔内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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