[发明专利]三轴各向异性磁阻的制造方法在审
| 申请号： | 201510189317.9 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104891428A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 张振兴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三轴各向异性磁阻的制造方法，包括：提供一衬底；在衬底上依次形成镍铁层、氮化钽层和氮化硅层；对氮化硅层进行光刻和刻蚀以形成图形化的硬掩膜层；对形成图形化的硬掩膜层的三轴各向异性磁阻进行灰化；以及利用图形化的硬掩膜层对氮化钽层进行刻蚀以形成沟槽。在本发明提供的三轴各向异性磁阻的制造方法中，通过灰化工艺去除光刻胶，避免光刻胶在后续刻蚀过程中与氮化钽发生反应而产生聚合物，因此后续刻蚀时不但无须为了去除聚合物而加大刻蚀量，而且刻蚀均匀性更好，进一步的，进行氮化钽层刻蚀时采用刻蚀均匀性更加优异的离子束刻蚀工艺，使得氮化钽层的刻蚀保留厚度的均匀性更好，由此提高了三轴各向异性磁阻的良率稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 各向异性 磁阻 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种三轴各向异性磁阻的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成镍铁层、氮化钽层和氮化硅层；对所述氮化硅层进行光刻和刻蚀以形成图形化的硬掩膜层；对形成图形化的硬掩膜层的三轴各向异性磁阻进行灰化；以及利用所述图形化的硬掩膜层对所述氮化钽层进行刻蚀以形成沟槽。
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