[发明专利]一种晶体硅太阳电池扩散死层的去除方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳电池扩散死层的去除方法，包括如下步骤：(1) 表面清洗及织构化、扩散；(2) 将步骤(1)得到的硅片在常温下于HF溶液中进行腐蚀，在硅片表面形成多孔硅结构；所述HF溶液的质量浓度为15~50%，腐蚀时间为15~50分钟；(3) 清洗步骤(2)得到的硅片，然后在碱液中进行清洗，去除多孔硅结构。本发明在现有的扩散工艺步骤后，进一步采用一定浓度的HF酸进行腐蚀产生多孔硅，然后再用碱液去除多孔硅，从而达到去除扩散死层的目的，有效地提高了太阳能电池的转化效率，取得了意想不到的效果。

主权项

一种晶体硅太阳电池扩散死层的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 表面清洗及织构化、形成掺杂结；(2) 将步骤(1)得到的硅片在常温下于HF溶液中进行腐蚀，在硅片表面形成多孔硅结构；所述HF溶液的质量浓度为15~50%，腐蚀时间为15~50分钟；(3) 清洗步骤(2)得到的硅片，然后在碱液中进行清洗，去除多孔硅结构，清洗温度为20~25℃，清洗时间为5~20秒；所述碱液的质量浓度0.25~1.5%。