[发明专利]一种定位制备石墨烯薄膜的方法有效
| 申请号： | 201510195619.7 | 申请日： | 2015-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104843689B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 徐明生;梁涛 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种定位制备石墨烯薄膜的方法，适于在衬底的特定位置制备高质石墨烯薄膜。本发明使用诱导剂诱导石墨烯薄膜在衬底得特定位置成核与生长，包括使衬底暴露在诱导剂的气氛中或者使衬底含有诱导剂，然后采用本领域的技术方法如化学气相沉积方法或碳偏析法在衬底的特定位置制备石墨烯薄膜。本发明采用诱导剂触发、诱导石墨烯薄膜在衬底上成核和生长；通过这种诱导性而在衬底上实现优先成核和生长，从而达到石墨烯薄膜在衬底上的定位制备。本发明采用的诱导剂简单、安全、可靠、简单易行。本发明的定位制备石墨烯薄膜为石墨烯薄膜的集成光电子应用奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 定位 制备 石墨 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种定位制备石墨烯薄膜的方法，其特征在于，在合成石墨烯薄膜的过程中使用含氧基团，所述的含氧基团触发、诱导石墨烯薄膜在衬底上成核与生长；所述的含氧基团包括氧原子、水和氢氧基中的一种或其任意组合；所述的衬底为金属、半导体和绝缘体中的一种或任意组合；所述的含氧基团存在于衬底中和衬底表面中的一种或其任意组合。
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