[发明专利]半导体衬底结构、半导体封装及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体衬底结构、半导体封装及其制造方法。所述半导体衬底结构包含导电结构和电介质结构。所述导电结构具有第一导电表面和与所述第一导电表面相对的第二导电表面。所述电介质结构遮盖所述导电结构的至少一部分，且具有第一电介质表面和与所述第一电介质表面相对的第二电介质表面。所述第一导电表面并非从所述第一电介质表面突出，且所述第二导电表面从所述第二电介质表面凹进。所述电介质结构包含光敏树脂或由其形成，且所述电介质结构界定在所述第二电介质表面中的电介质开口以暴露所述第二导电表面的一部分。

主权项

1.一种半导体衬底结构，其包括：导电结构，其具有第一导电表面和与所述第一导电表面相对的第二导电表面，其中所述导电结构包括至少一个导电迹线；以及电介质结构，其遮盖所述导电结构的至少一部分，并具有第一电介质表面和与所述第一电介质表面相对的第二电介质表面，其中所述第一导电表面并非从所述第一电介质表面突出，所述第二导电表面从所述第二电介质表面凹进，所述电介质结构为电介质层，所述电介质层包含固化光敏树脂或由其形成，且所述电介质结构界定在所述第二电介质表面中的电介质开口以暴露所述第二导电表面的一部分，其中界定所述电介质开口的侧壁为曲状的，所述电介质开口具有在所述第二电介质表面处的第一宽度和在所述电介质开口的中间部分处的第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度，且所述电介质开口的所述侧壁的整体在横截面中具有连续的曲率。