[发明专利]具有增强的覆盖质量的光刻工艺和系统有效
| 申请号： | 201510196867.3 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN105372945B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 洪继正;林纬良;严永松;陈俊光;刘如淦;高蔡胜;傅中其;董明森;梁辅杰;陈立锐;陈孟伟;陈桂顺 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了方法。该方法包括：在图案化的衬底上形成光刻胶层；从图案化的衬底收集第一覆盖数据；基于来自集成电路(IC)图案的第二覆盖数据至来自图案化的衬底的第一覆盖数据的映射来确定覆盖补偿；根据覆盖补偿对光刻系统实施补偿工艺；以及之后通过光刻系统对光刻胶层实施光刻曝光工艺，从而将IC图案成像至光刻胶层。本发明涉及具有增强的覆盖质量的光刻工艺和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 覆盖 质量 光刻 工艺 系统 | ||
【主权项】：
1.一种控制光刻的方法，包括：在图案化的衬底上形成光刻胶层；从所述图案化的衬底收集第一覆盖数据；基于来自集成电路(IC)图案的第二覆盖数据至来自所述图案化的衬底的所述第一覆盖数据的映射来确定覆盖补偿，其中，所述第二覆盖数据由从集成电路图案数据库得到的将要形成在所述光刻胶层上的所述集成电路图案提取得到，并且确定所述覆盖补偿包括基于所述第二覆盖数据和所述第一覆盖数据之间的位移差异，使用对准模型计算所述覆盖补偿；根据所述覆盖补偿对光刻系统实施补偿工艺；以及通过所述光刻系统对所述光刻胶层实施光刻曝光工艺，从而将所述集成电路图案成像至所述光刻胶层。
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