[发明专利]存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510196880.9 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN105023604B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器件包括多个存储单元。至少一个存储单元包括具有垂直栅极全包围结构的多个晶体管和多个有源块。至少一个有源块的一部分用作一个晶体管的源极或漏极。本发明还提供了存储器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器件，包括：多个存储单元，至少一个存储单元包括：多个晶体管，具有垂直栅极全包围结构；以及多个有源块，至少一个有源块的一部分用作一个晶体管的源极或漏极；其中，至少一个所述晶体管包括：沟道杆，在所述有源块上或上方；栅极绝缘体，环绕所述沟道杆；栅极，环绕所述沟道杆和所述栅极绝缘体；以及顶部电极，在所述沟道杆上或上方。
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