[发明专利]一种高真空制备镁纳米线的方法有效
| 申请号： | 201510196947.9 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN104846433B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 宋西平;王涵;裴俊;李如峰 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/02;C30B29/62;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高真空制备镁纳米线的方法，所述方法以工业用镁粉作为原料，在高真空环境下，将镁粉加热到一定温度下蒸发，然后在较低温度下，在不锈钢网基底上沉积得到镁纳米线，本发明具有制备工艺简单、制备时间短、成本低廉等优点，是一种先进的制备镁纳米线的方法，所制得的镁纳米线为笔直的具有<11‑20>晶体取向的单晶镁纳米线，尺寸均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 制备 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种高真空制备镁纳米线的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：步骤一：连接制备系统，并将原料摆放至指定位置；步骤二：将制备系统抽至高真空；步骤三：将原料加热至蒸发温度后开始冷凝沉积；蒸发温度为410℃ ~470℃；步骤四：关闭制备系统并使制品冷却；步骤五：将制品保存。
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