[发明专利]一种基于忆阻器的通用编程模块及其操作方法

摘要

本发明公开了一种基于忆阻器的通用编程模块及其操作方法，可编程模块包括阻变元件、电阻R1、第一N型MOS管、第一P型MOS管、第二N型MOS管和第二P型MOS管；第一N型MOS管的漏极和第一P型MOS管的漏极均连接至阻变元件的一端，第一N型MOS管的源极和第一P型MOS管的源极连接后与电阻R1的一端连接，第一N型MOS管的栅极与第一P型MOS管的栅极连接后与电阻R1的另一端连接；第二N型MOS管的漏极与第二P型MOS管的漏极均连接至阻变元件的另一端，第二N型MOS管的源极与第二P型MOS管的源极均接地，第二N型MOS管的栅极与第二P型MOS管的栅极与电阻R1的一端连接。本发明通过改变阻变元件的阻值来改变电路的性能，并且操作简单，响应速度快，节省时间，提高电路工作效率。

主权项

一种可编程模块，其特征在于，包括阻变元件M、电阻R1、第一N型MOS管Q1、第一P型MOS管Q2、第二N型MOS管Q3和第二P型MOS管Q4；所述阻变元件M的一端(201)作为与外部电路连接的第一端口V1，阻变元件M的另一端(202)作为与外部电路连接的第二端口V2；所述第一N型MOS管Q1的漏极和所述第一P型MOS管Q2的漏极均连接至所述阻变元件M的一端(201)，所述第一N型MOS管Q1的源极和所述第一P型MOS管Q2的源极连接后与所述电阻R1的一端连接，所述第一N型MOS管Q1的栅极与所述第一P型MOS管Q2的栅极连接后与所述电阻R1的另一端连接；所述电阻R1的一端作为脉冲输入端pulse，所述电阻R1另一端接地；所述第二N型MOS管Q3的漏极与所述第二P型MOS管Q4的漏极均连接至所述阻变元件M的另一端(202)，所述第二N型MOS管Q3的源极与所述第二P型MOS管Q4的源极均接地，所述第二N型MOS管Q3的栅极与所述第二P型MOS管Q4的栅极与所述电阻R1的一端连接。