[发明专利]晶圆表面的铜层的研磨方法在审
| 申请号： | 201510199111.4 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN106141901A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 唐强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/10 | 分类号： | B24B37/10;B24B53/017;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆表面的铜层的研磨方法，向具有多个同心的环形凹槽的研磨垫注入研磨液时，在不同时间段内选定所述研磨垫上距离研磨垫中心不同位置的环形凹槽注入柠檬酸，利用柠檬酸去除不同位置的环形凹槽内的化学残留物，以去除研磨垫上不同位置所残留的化学残留物，较好的去除研磨垫上残留的化学残留物，避免出现晶圆表面的铜层上刮痕、表面粒子等缺陷，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆表面的铜层的研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：将一表面形成有铜层的晶圆置于研磨头上，所述研磨头施加一定压力使所述晶圆的铜层表面紧压到研磨垫上，所述研磨垫上具有多个同心的环形凹槽；向所述研磨垫注入研磨液，同时选定所述研磨垫上距离研磨垫中心不同位置的环形凹槽注入柠檬酸，以对所述晶圆表面的铜层进行研磨并去除所述研磨垫上的化学残留物。
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