[发明专利]包括静电放电保护结构的半导体器件

摘要

本发明涉及包括静电放电保护结构的半导体器件。一种半导体器件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体主体。该半导体器件还包括在半导体主体的第一表面上的第一隔离层，以及在第一隔离层上的静电放电保护结构。静电放电保护结构具有第一端子和第二端子。半导体器件还包括热耗散结构，热耗散结构具有与静电放电保护结构接触的第一端和与电隔离区直接接触的第二端。

主权项

一种半导体器件，包括：具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的半导体主体，在所述半导体主体的所述第一表面上的第一隔离层，在所述第一隔离层上的静电放电保护结构，所述静电放电保护结构具有第一端子和不同的第二端子，所述静电放电保护结构上的第二隔离层，与所述第一端子电耦合的第一接触结构和与所述第二端子电耦合的第二接触结构，其中所述第一接触结构和所述第二接触结构二者竖直地延伸穿过所述第二隔离层，以及热耗散结构，所述热耗散结构竖直地延伸穿过所述第二隔离层并且具有与所述静电放电保护结构接触的第一端和与电隔离区接触的第二端，其中所述热耗散结构与所述第一接触结构和所述第二接触结构不同。