[发明专利]具有掺杂的中间层的金属-半导体接触件结构

摘要

本文公开了一种形成具有掺杂的金属氧化物中间层的金属与半导体接触件的方法。在半导体衬底的顶面上形成绝缘层，目标区位于半导体衬底的顶面。穿过绝缘层蚀刻开口，开口暴露目标区的部分的顶面。掺杂的金属氧化物中间层在开口中形成并且接触目标区的顶面。用金属插塞填充开口的剩余部分，掺杂的金属氧化物中间层设置在金属插塞和衬底之间。掺杂的金属氧化物中间层由氧化锡、氧化钛或氧化锌中的一种形成并且掺杂有氟。本发明涉及具有掺杂的中间层的金属‑半导体接触件结构。

主权项

1.一种形成器件的方法，包括：在半导体衬底的顶面上形成绝缘层，目标区设置在所述半导体衬底的顶面处；穿过所述绝缘层蚀刻开口，所述开口暴露所述目标区的部分的顶面，所述蚀刻包括在所述开口的表面上生成蚀刻副产物；在所述开口中形成掺杂的金属氧化物中间层并且所述掺杂的金属氧化物中间层接触所述目标区的所述顶面，其中，形成所述掺杂的金属氧化物中间层包括在所述蚀刻副产物上方形成金属氧化物中间层，所述蚀刻副产物并入到所述金属氧化物中间层内；以及用金属插塞填充所述开口的剩余部分，所述掺杂的金属氧化物中间层设置在所述金属插塞和所述半导体衬底之间以减小费米能级钉扎和隧穿过中间层‑半导体势垒的电阻。