[发明专利]一种高性能氧化铝/纳米碳化硅复相陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201510200735.3 | 申请日： | 2015-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN104761246B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 骆树立;王建堂;李庆丰;骆如田;骆如河;骆胜华;骆胜磊 | 申请（专利权）人： | 河北恒博新材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/626 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙)11226 | 代理人： | 常玉明,张兰海 |
| 地址： | 057250 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种高性能氧化铝/纳米碳化硅复相陶瓷的制备方法，其特征在于以铝矾土粉体和微米级的SiC颗粒为主要原料，经湿式混合、干燥、预煅烧，然后成型后进行埋烧，在1400～1550℃烧结，保温1小时，而后自然冷却至室温，制得高性能氧化铝/纳米碳化硅复相陶瓷。按照上述制备方法制备的高性能氧化铝/纳米碳化硅复相陶瓷具有原位生长的纳米碳化硅，形成SiO2包覆纳米SiC的颗粒，且在高温下被形成的少量莫来石包裹，碳化硅晶粒的尺寸为200～410nm，材料的弯曲强度为306～380MPa，断裂韧性为3.3～5.2MPa·m1/2。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 氧化铝 纳米 碳化硅 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高性能氧化铝/纳米碳化硅复相陶瓷的制备方法，其特征在于：原料：氧化铝质量含量为80～90％的铝矾土粉体和平均粒径为1.5～5.0μm的微米级SiC；二者质量比例：SiC为铝矾土粉体的5～10％；制备步骤：将上述原料粉体按比例混合后加水，在搅拌磨中球磨，混合均匀；干燥后的混合粉体预煅烧，预煅烧温度900～1050℃，保温2～6小时；将粉体成型后放入坩埚内埋烧，埋料粉体采用粒径范围为600‑1200μmα‑SiC，装有成型坯体的坩埚以350℃/h的升温速度快速升温至1200℃，然后以200℃/h的升温速度再升至1400～1550℃进行烧结，保温1小时，而后自然冷却至室温，制得高性能氧化铝/纳米碳化硅复相陶瓷；所述的高性能氧化铝/纳米碳化硅复相陶瓷具有原位生长的纳米碳化硅，形成SiO2包覆纳米SiC的颗粒，且在高温下被形成的少量莫来石包裹，碳化硅晶粒的尺寸为200～410nm，材料的弯曲强度为306～380MPa，断裂韧性为3.3～5.2MPa·m1/2。
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