[发明专利]一种氮化镓发光二极管的外延结构

摘要

本发明为一种氮化镓发光二极管的外延结构，在多个周期的量子阱结构中间插入缓冲插入层；N＝4～10个周期的下量子阱结构之上为M＝1～5个周期的缓冲插入层，其上为n＝1～8个周期的上量子阱结构。N≥(N+n)/2。缓冲插入层每个周期包括P型氮化镓搀杂层、P型氮化铟镓搀杂层和N型氮化镓搀杂层各一个。P型氮化镓搀杂层和P型氮化铟镓搀杂层中搀杂元素为镁、N型氮化镓搀杂层中搀杂元素为硅。缓冲插入层总厚度为35～675nm。本发明缓冲插入层防止电子越过有源区进入P型掺杂区与空穴复合，提高发光效率，当电流密度增加至250mA以上，发光效率持续增加，可达55％；发光二极管发光均匀性得到改善；易于推广应用。

主权项

一种氮化镓发光二极管的外延结构，包括衬底(1)，以及依次生长在衬底(1)上的氮化镓二维晶体层(2)、非掺杂的氮化镓层(3)、N型氮化镓搀杂层(4)、多个周期的量子阱结构及P型氮化镓搀杂层(8)，所述量子阱结构每个周期包括一个氮化镓垒层和一个氮化铟镓阱层，其特征在于:在所述多个周期的量子阱结构中间插入缓冲插入层(6)；N个周期的下量子阱结构(5)之上为M个周期的缓冲插入层(6)，缓冲插入层之上为n个周期的上量子阱结构(7)；N为4～10的整数，n为1～8的整数，N≥(N+n)/2，M为1～5的整数；所述缓冲插入层(6)每个周期包括一个P型氮化镓搀杂层(61)、一个P型氮化铟镓搀杂层(62)和一个N型氮化镓搀杂层(63)。