[发明专利]一种双向触发异质结型ESD防护器件

摘要

本发明涉及半导体技术，特别涉及及一种双向触发的异质结型ESD防护器件。本发明的双向触发的ESD器件，主要采用第二类半导体和第三类半导体形成异质结，并在欧姆接触附近连接设置有金半接触，通过控制金半接触正下方的沟道二维电子气耗尽与导通，实现电路的双向触发。常态下，可通过控制金半接触正下方沟道的耗尽长短控制触发的阈值电压；还可通过常态下控制两个金半接触间的导通沟道生长长度实现电路的耐压值可控。本发明的有益效果为，在高温高场强环境下性能稳定，还具有电路耐压值可控的优点。

主权项

一种双向触发异质结型ESD防护器件，包括从下往上依次设置的第一类半导体衬底(110)、第二类半导体薄膜(120)和第三类半导体薄膜(130)，所述第二类半导体薄膜(120)和第三类半导体薄膜(130)的连接处形成异质结；所述第三类半导体薄膜(130)的两端分别设置有第一欧姆接触(131)和第二欧姆接触(134)；所述异质结界面处靠近第一欧姆接触(131)的一端到靠近第二欧姆接触(134)的一端依次设置有第一沟道(121)、第一势垒区(122)、第二沟道(123)、第二势垒区(124)和第三沟道(125)，其中第一沟道(121)位于第一欧姆接触(131)正下方，第三沟道(125)位于第二欧姆接触(134)正下方；所述第三类半导体薄膜(130)中靠近第一欧姆接触(131)处设置有第一金属区，所述第一金属区与第二类半导体薄膜(120)之间的第三类半导体薄膜(130)形成用于控制位于其正下方的第一势垒区(122)夹断与导通的第一金半接触(132)，所述第一金半接触(132)的电极通过第一金属线(141)与第一欧姆接触(131)的电极连接；所述第三类半导体薄膜(130)中靠近第二欧姆接触(134)处设置有第二金属区，所述第二金属区与第二类半导体薄膜(120)之间的第三类半导体薄膜(130)形成用于控制位于其正下方的第二势垒区(124)夹断与导通的第二金半接触(133)，所述第二金半接触(133)的电极通过第二金属线(142)与第二欧姆接触(134)的电极连接；所述第二沟道(123)位于第一势垒区(122)和第二势垒区(124)之间，为器件的漂移区。