[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置在审
申请号: | 201510203209.2 | 申请日: | 2015-04-24 |
公开(公告)号: | CN104766804A | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
发明(设计)人: | 刘建宏;詹裕程 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置,其中,该薄膜晶体管的制备方法包括:在衬底基板的上方连续沉积非晶硅薄膜和保护层薄膜;对非晶硅薄膜进行退火处理,以使得非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜;对多晶硅薄膜和保护层薄膜进行一次构图工艺,多晶硅薄膜图案化为有源层,保护层薄膜图案化为保护层。在本发明的技术方案中,由于在形成有源层的同时还在有源层的上方形成了保护层,该保护层可对有源层起到保护作用,以在将基板移至下一生产流程的过程中避免有源层被污染。与此同时,由于有源层在运输过程中不会被污染,因此在下一生产流程开始之前无需对有源层进行预清理的工序,从而可缩短整个生产周期。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括:在衬底基板的上方连续沉积非晶硅薄膜和保护层薄膜;对所述非晶硅薄膜进行退火处理,以使得所述非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜;对所述多晶硅薄膜和所述保护层薄膜进行一次构图工艺,将所述多晶硅薄膜图案化为有源层,所述保护层薄膜图案化为保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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