[发明专利]一种单晶石榴石厚膜的制备方法在审
| 申请号： | 201510204731.2 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN104775160A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 杨青慧;田晓洁;张怀武;梅兵;文岐业;贾利军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B9/04 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单晶石榴石厚膜的制备方法，属于石榴石厚膜制备领域。具体包括以下步骤：准确称量Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3原料，其中，Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3的摩尔比为1：1：9.62：52.12，混料，熔料；清洗基片；将清洗后的基片放入熔体中，控制基片转速为60转/分，在935℃降到930℃的过程中生长薄膜，生长完成后，清洗，得到本发明所述单晶石榴石厚膜。本发明得到的单晶石榴石厚膜与基底之间的晶格常数和热膨胀系数匹配度好，为单晶态；薄膜的结构均匀，厚度可达40μm以上；且薄膜的结构致密、表面平整，是一种可应用于磁光器件的良好材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶石 榴石厚膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶石榴石厚膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：准确称量Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3原料，其中，Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3的摩尔比为1：1：9.62：52.12；混料；熔料；步骤2：清洗基片；步骤3：将步骤2清洗后的基片放入熔体中，控制基片转速为60转/分，在935℃降到930℃的过程中生长薄膜，生长完成后，清洗去除残留，得到本发明所述单晶石榴石厚膜。
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