[发明专利]一种砷化镓基晶体管的T型栅的制作方法

摘要

本发明公开了一种砷化镓基晶体管的T型栅的制作方法，是在砷化镓(GaAs)基衬底上依次形成抗反射层及第一光阻，第一光阻经曝光显影形成宽度为0.13‑0.18um的显开区域；再涂覆第二光阻，经曝光显影后与第一光阻的显开区域共同形成T型栅极的蚀刻窗口，通过沉积金属形成线宽为0.13‑0.18um的T型栅。本发明的抗反射层采用DUO248制剂形成，光阻及抗反射层通过CLK‑888进行湿式剥离，避免了干式剥离对砷化镓衬底的损伤，成本低，产能高，适于实际生产应用。

主权项

1.一种砷化镓基晶体管的T型栅的制作方法，其特征在于包括以下步骤：1)提供一砷化镓基衬底，于衬底上形成一抗反射层，其中所述抗反射层是由DUO248制剂涂覆而成；2)于抗反射层上涂覆第一光阻，第一光阻经曝光显影形成宽度为0.13‑0.18um的下蚀刻窗口；所述第一光阻是与248nm光相匹配之KrF正光阻，经KrF设备进行曝光显影；3)于上述结构上方涂覆第二光阻，去除第二光阻对应下蚀刻窗口的部分并形成上蚀刻窗口，其中上蚀刻窗口的宽度大于下蚀刻窗口，上蚀刻窗口和下蚀刻窗口形成T型栅极的蚀刻窗口；所述第二光阻是与365nm光相匹配之I‑line负光阻；所述上蚀刻窗口是所述第二光阻通过I‑line设备曝光显影形成的，宽度为0.7‑1.1um；4)除去蚀刻窗口下方的抗反射层以露出衬底，并蚀刻该部分衬底以形成沟槽；5)于蚀刻窗口内以沟槽为底层表面沉积金属，形成T型栅极；6)采用湿式剖离工艺除去抗反射层、第一光阻及第二光阻，其中剥离剂是由CLK‑888与过氧化氢混合制得，所述剥离剂的温度为55‑70℃，其中过氧化氢的体积分数是2.5‑3.5％。