[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201510209418.8 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN104810451B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭炳磊;葛永晖;董彬忠;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体发光二极管领域。该方法包括在衬底上依次生长缓冲层、n型GaN层、应力调控层、多量子阱层、p型GaN层、以及p型欧姆接触层，该应力调控层为多周期结构，生长多周期结构的每个周期包括以第一生长温度生长一层应力调控InGaN子层，在应力调控InGaN子层生长结束后，在第二生长温度下向反应腔内通入氢气，对应力调控InGaN子层的表面进行刻蚀处理，第二生长温度与第一生长温度不同。本发明通过对应力调控InGaN子层进行上述处理，能在应力调控InGaN子层与应力调控GaN子层之间形成一个平整的接触面，防止缺陷继续延伸。 | ||
| 搜索关键词： | gan 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上依次生长低温缓冲层、重结晶成核层、变速缓冲恢复层、u型GaN层、n型GaN层、应力调控层、多量子阱层、低温p型GaN层、电子阻挡层、高温p型GaN层、以及p型欧姆接触层，所述多量子阱层的In掺杂量高于所述应力调控层的In掺杂量，所述应力调控层为多周期结构，生长所述多周期结构的每个周期包括：以第一生长温度生长一层应力调控InGaN子层；在所述应力调控InGaN子层生长结束后，在第二生长温度下向反应腔内通入氢气，对所述应力调控InGaN子层的表面进行刻蚀处理，所述第二生长温度与所述第一生长温度不同；在所述刻蚀处理结束后，以所述第一生长温度在所述应力调控InGaN子层上生长一层应力调控GaN子层。
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