[发明专利]TFT基板的制作方法及其结构

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法及其结构。该TFT基板的制作方法通过在第一道干蚀刻制程中将非晶硅层(5)位于非TFT区域的部分保留一定的厚度，在第二道干蚀刻制程中形成背沟道(51)的同时，蚀刻掉在非TFT区域保留下来的非晶硅层(5)，从而防止栅极绝缘层(4)在第二道干蚀刻制程中受到损伤，提高了TFT基板的品质，减少了品质问题发生的风险，并且由于减少了第一道干蚀刻制程的蚀刻量，从而减少了干蚀刻制程时间，减短了生产周期，提高了工厂产能。本发明提供的一种TFT基板结构，其结构简单，栅极绝缘层完整无损伤，可提高液晶显示器的显示品质。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，所述基板(1)上设有TFT区域与非TFT区域，在所述基板(1)上沉积第一金属层，并通过一道光刻制程图案化该第一金属层，形成位于TFT区域中部的栅极(3)；步骤2、在所述栅极(3)、及基板(1)上依次沉积栅极绝缘层(4)、非晶硅层(5)、N型重掺杂非晶硅层(6)、及第二金属层(7)；步骤3、在所述第二金属层(7)上涂布一光阻层，并通过一道半色调光罩制程对该光阻层进行曝光、显影，得到对应TFT区域覆盖于第二金属层(7)上的蚀刻阻挡层(8)；所述蚀刻阻挡层(8)包括薄层区域(81)、及分布于薄层区域(81)两侧的厚层区域(82)，所述薄层区域(81)位于欲形成TFT背沟道的位置；步骤4、以所述蚀刻阻挡层(8)为遮挡，采用第一道湿蚀刻制程对所述第二金属层(7)进行蚀刻，保留该第二金属层(7)位于TFT区域的部分；步骤5、采用第一道干蚀刻制程对非晶硅层(5)、N型重掺杂非晶硅层(6)、及蚀刻阻挡层(8)进行蚀刻，使得所述N型重掺杂非晶硅层(6)位于非TFT区域的部分被完全蚀刻掉，而所述非晶硅层(5)位于非TFT区域的部分未被完全蚀刻掉，从而保留一定的厚度，同时使得所述蚀刻阻挡层(8)的薄层区域(81)被完全蚀刻掉，暴露出部分第二金属层(7)；步骤6、以所述蚀刻阻挡层(8)的厚层区域(82)为遮挡，采用第二道湿蚀刻制程对第二金属层(7)进行蚀刻，去除第二金属层(7)被暴露出来的部分，形成源/漏极(71)；步骤7、以所述蚀刻阻挡层(8)的厚层区域(82)、及源/漏极(71)为遮挡，采用第二道干蚀刻制程对所述非晶硅层(5)与N型重掺杂非晶硅层(6)进行蚀刻，去除掉所述N型重掺杂非晶硅层(6)未被所述源/漏极(71)遮挡的部分，并降低所述非晶硅层(5)未被所述源/漏极(71)遮挡的部分的厚度，形成背沟道区(51)；在该第二道干蚀刻制程中，所述非晶硅层(5)位于非TFT区域的部分被完全蚀刻掉；步骤8、去除蚀刻阻挡层(8)的厚层区域(82)，得到一TFT基板。