[发明专利]石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法在审
| 申请号： | 201510210826.5 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN104851791A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 吴京锦;慕轶非;赵策洲;汤楚帆 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法，包括以下步骤：制备表面干净平整、少缺陷的石墨烯材料作为沉积高k栅介质的基底样品；将基底样品放入ALD反应腔室中，远程操控射线，使石墨烯P轨道电子吸收能量跃迁，改变外层电子取向，破坏离域大π键，形成悬挂键；通入水蒸气，完成石墨烯表面的化学吸附，直至衬底表面达到饱和；通入第一前驱体源，完成石墨烯表面的高k栅介质沉积。本发明所提出的利用伽马射线激发电子，破坏离域大π键，提高石墨烯表面活性，在石墨烯表面原子层沉积高k栅介质的方法，这种方法简便易行可靠，可以直接在石墨烯表面形成连续、均匀、结合紧密的高k栅介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 表面 原子 沉积 介质 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）制备表面干净平整、少缺陷的石墨烯材料作为沉积高k栅介质的基底样品；（2）将基底样品放入ALD反应腔室中，远程操控射线，使石墨烯P轨道电子吸收能量跃迁，改变外层电子取向，破坏离域大π键，形成悬挂键；（3）通入水蒸气，完成石墨烯表面的化学吸附，直至衬底表面达到饱和；（4）通入第一前驱体源，完成石墨烯表面的高k栅介质沉积。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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