[发明专利]FinFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201510212384.8 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106206713B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李威养;陈定业;詹佳玲;詹前泰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/41;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | FinFET包括鳍结构、栅极和源极‑漏极区。鳍结构位于衬底上方并且具有鳍结构的上表面的凹槽以及位于鳍结构中并且邻近凹槽的掺杂区。栅极从凹槽突出并且横跨在鳍结构上方。源极‑漏极区位于鳍结构中并且邻近掺杂区。本发明也提供了FinFET的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET，包括：鳍结构，位于衬底上方并且具有所述鳍结构的上表面的凹槽以及位于所述鳍结构中并且邻近所述凹槽的掺杂区，使用等离子体掺杂工艺和退火工艺使得所述掺杂区穿过所述鳍结构，所述掺杂区具有共形的掺杂轮廓；栅极，从所述凹槽突出并且横跨在所述鳍结构上方；以及源极‑漏极区，位于所述鳍结构中并且邻近所述掺杂区。
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