[发明专利]线性均衡器及其方法有效
申请号: | 201510212709.2 | 申请日: | 2015-04-29 |
公开(公告)号: | CN105099393B | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 林嘉亮 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | H03H11/02 | 分类号: | H03H11/02 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 梁丽超,陈鹏 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了线性均衡器及其方法。一种线性均衡器包括一第一类型的第一金属氧化物半导体(MOS)晶体管、一第二类型的第一MOS晶体管、一第二类型的第二MOS晶体管以及一第一类型的第二MOS晶体管。第一类型的第一MOS晶体管设置在一共源极放大器电路中,并且用以接收一输入信号并输出一中间信号。第二类型的第一MOS晶体管设置在由一第一自偏压RC(电阻电容)电路偏压的一自偏压拓扑中,并且用以提供中间信号的终端。第二类型的第二MOS晶体管设置在另一共源极放大器拓扑中,并且用以放大中间信号而产生一输出信号。第一类型的第二MOS晶体管设置在由一第二自偏压RC电路偏压的另一自偏压拓扑中,并且用以提供输出信号的终端。 | ||
搜索关键词: | 线性 均衡器 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种线性均衡器,包括:一第一类型的一第一金属氧化物半导体晶体管,设置在一共源极放大器电路中,以接收一输入信号并输出一中间信号;一第二类型的一第一金属氧化物半导体晶体管,设置在由一第一自偏压电阻电容电路偏压的一自偏压拓扑中,以提供该中间信号的终端;一第二类型的一第二金属氧化物半导体晶体管,设置在另一共源极放大器拓扑中,以放大该中间信号而产生一输出信号;以及一第一类型的一第二金属氧化物半导体晶体管,设置在由一第二自偏压电阻电容电路偏压的另一自偏压拓扑中,以提供该输出信号的终端。
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