[发明专利]一种存储系统及采用该存储系统的读写方法

摘要

本发明提供一种存储系统，包括主机内存与固态硬盘，固态硬盘包括主控芯片、NAND芯片与MRAM，主机内存包括读缓存与固态硬盘的逻辑地址与物理地址对照表，MRAM包括写缓存。本发明还提供采用该存储系统的读写方法。本发明提供的存储系统及采用该存储系统的读写方法，MRAM包括写缓存，能够保证写操作性能，同时减少了写NAND的次数从而延长NAND寿命；主机内存包括读缓存，能够保证读操作性能；把逻辑物理地址对照表和读缓存放在读写更快的主机内存中，提高了系统的性能，同时使得有限容量的MRAM能够更多地用在写缓存中，在控制成本的情况下进一步地提高了性能；不会牺牲随机读写性能，但是要消耗主机中的大量内存，因此这个方案更适合于服务器。

主权项

1.一种采用存储系统的读方法，其特征在于，所述存储系统包括主机内存与固态硬盘，所述固态硬盘包括主控芯片、NAND芯片与MRAM，所述主机内存包括读缓存与所述固态硬盘的逻辑地址与物理地址对照表，所述MRAM包括写缓存；所述MRAM通过DDR DRAM接口与所述固态硬盘的主控芯片连接；所述MRAM集成于所述固态硬盘的主控芯片中；所述读方法包括以下步骤：(1)文件系统收到读取NAND页指令；(2)根据所述NAND页的逻辑地址，搜索所述NAND页是否在主机内存中的读缓存中，如果在所述读缓存中，从所述读缓存中读取数据，执行步骤(8)；如果不在所述读缓存中，执行步骤(3)；(3)根据所述NAND页的逻辑地址，在主机内存中的逻辑地址与物理地址对照表中，查询获得所述NAND页的物理地址；(4)根据所述物理地址搜索所述NAND页是否在MRAM中的写缓存中，如果在所述写缓存中，从所述写缓存中读取所述NAND页的数据，执行步骤(6)；如果不在所述写缓存中，执行步骤(5)；(5)从NAND芯片中读取所述NAND页的数据；(6)如果所述读缓存中没有空闲页，清理读缓存；(7)将读取的所述NAND页的数据存储于所述读缓存的空闲页中；(8)读操作结束。