[发明专利]一种晶棒的拉晶方法在审
| 申请号： | 201510215597.6 | 申请日： | 2015-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN104818523A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 陈磊;刘栓红;赵丽萍;张文涛;蔡水占;郭晶晶;张会超;陈永平;王东胜;惠小青;辛世明;田红丽 | 申请（专利权）人： | 河南鸿昌电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B30/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 461500 河南省许昌*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及致冷件生产技术领域，是一种晶棒的拉晶方法，晶棒是在拉晶炉中进行的，包括以下步骤：a、将晶棒在30-40分钟内温度升至280-320℃，并保持10-15分钟；b、将上述步骤a中晶棒在7-9分钟内冷却到50-60℃即可；较好地，上述步骤a中，晶棒是在10-12V／cm的电场中进行的，上述步骤a中，晶棒是在振幅1毫米、频率40-60赫兹情况下进行的，这样的半导体晶棒的拉晶方法具有生产出的晶棒品质更好、切割晶棒时破碎率低、容易实现的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 方法 | ||
【主权项】：
一种晶棒的拉晶方法，晶棒是在拉晶炉中进行的，包括以下步骤：a、将晶棒在30—40分钟内温度升至280—320℃，并保持10‑15分钟；b、将上述步骤a中晶棒在7‑9分钟内冷却到50—60℃即可。
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