[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置

摘要

本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有覆盖部分所述半导体衬底的牺牲层，以形成台阶形结构；步骤S2共形沉积功能材料层，以覆盖所述半导体衬底和所述牺牲层；步骤S3在所述台阶形结构处的所述功能材料层的侧壁上形成间隙壁；步骤S4在所述功能材料层的侧壁和所述间隙壁上形成干膜层，以覆盖所述间隙壁和所述侧壁；步骤S5沉积金属材料层并图案化，以形成金属层并覆盖所述干膜层；步骤S6去除所述牺牲层，以形成空腔。本发明的优点在于1、改善薄膜复合层的叠层(film stack)。2、抑制湿法化学蚀刻(Wet Chemical)对于器件的损坏。3、保护器件，提高良率。

主权项

一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有覆盖部分所述半导体衬底的牺牲层，以形成台阶形结构；步骤S2：共形沉积功能材料层，以覆盖所述半导体衬底和所述牺牲层；步骤S3：在所述台阶形结构处的所述功能材料层的侧壁上形成间隙壁；步骤S4：在所述功能材料层的侧壁和所述间隙壁上形成干膜层，以覆盖所述间隙壁和所述侧壁并使所述台阶形结构处的角度更加平滑；步骤S5：沉积金属材料层并图案化，以形成金属层并覆盖所述干膜层；步骤S6：去除所述牺牲层，以形成空腔。