[发明专利]一种栅漏电容缓变的超结功率器件及其制造方法

摘要

本发明属于半导体功率器件技术领域，特别是涉及一种栅漏电容缓变的超结功率器件及其制造方法。本发明提出的一种栅漏电容缓变的超结功率器件的体区具有两种或两种以上不相等的宽度，使得相邻的体区之间具有两种或两种以上不相等的间距；本发明提出的一种栅漏电容缓变的超结功率器件还采用分栅结构，与具有不相等间距的体区结构结合，能够把超结功率器件在开启或关断时的栅漏电容突变分摊到多个电压节点，从而能够降低由栅漏电容突变引起的电磁干扰；本发明提出的一种栅漏电容缓变的超结功率器件在使用中，能够方便地在器件的芯片内部集成栅极电阻，进一步抑制栅极电压震荡和降低电磁干扰。

主权项

一种栅漏电容缓变的超结功率器件，包括：在半导体衬底的底部设有第一掺杂类型的漏区，该漏区的上部设有第一掺杂类型的衬底外延层；所述衬底外延层的内部设有凹陷在该衬底外延层内部的用于与衬底外延层杂质形成电荷平衡的多个相互平行的第二掺杂类型的柱状掺杂区，该柱状掺杂区的宽度相等，且相邻的柱状掺杂区之间的间距相等；所述柱状掺杂区的顶部分别设有第二掺杂类型的体区，该体区超出相对应的柱状掺杂区两侧并延伸至所述衬底外延层的内部；其特征在于：所述体区设有两种或两种以上不相等的宽度；所述体区内部的两侧分别设有第一掺杂类型的源区，该源区与相邻的衬底外延层之间的体区层构成器件的沟道区；所述沟道区上部设有栅介质层和栅极，所述栅极之间由绝缘介质层隔离，该绝缘介质层覆盖所述栅极、衬底外延层和体区；所述绝缘介质层内部设有接触孔，该接触孔内填充有金属层，该金属层与所述体区和源区形成欧姆接触。