[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510217734.X | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN106185788B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 郑超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有凹槽；步骤S2反转所述底部晶圆并图案化所述底部晶圆，以在所述底部晶圆的背面形成连通所述凹槽的导流孔；步骤S3再次反转所述底部晶圆并和顶部晶圆相接合；步骤S4将所述顶部晶圆研磨打薄，以减小所述顶部晶圆的厚度；步骤S5执行高温工艺步骤。本发明的优点在于1、形成通道，当气体膨胀时，可以引导到外界。2、改善了Si脱落(peeling)破损的现象，提高了器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有凹槽；步骤S2：反转所述底部晶圆并图案化所述底部晶圆，以在所述底部晶圆的背面形成连通所述凹槽的导流孔；步骤S3：再次反转所述底部晶圆并和顶部晶圆相接合；步骤S4：在所述接合之后将所述顶部晶圆研磨打薄，以减小所述顶部晶圆的厚度；步骤S5：在将所述顶部晶圆研磨打薄之后执行高温工艺步骤。
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