[发明专利]一种功率半导体模块内部连接结构在审
| 申请号： | 201510219848.8 | 申请日： | 2015-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN104900617A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 陈斌 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 翁霁明 |
| 地址： | 314006 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种功率半导体模块内部连接结构，它包括一预先注塑有铜端子的下壳体，在所述下壳体内还有半导体芯片和绝缘基板，所述的铜端子的底部通过超声键合方式与绝缘基板的正面铜层结合在一起；且不同绝缘基板的正面铜层之间也通过铜键合方式直接连接；所述的铜端子位于下壳体内部的连接端采用裸铜结构，位于下壳体外部的连接端采用电镀保护并有良好的锡焊能力，且外部连接端与内部连接端之间有三个以上的折弯结构；不同绝缘基板的正面铜层之间的铜键合方式直接连接使用的是粗铜线材料；它具有高导热率、高导电率、内部方便连接等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 模块 内部 连接 结构 | ||
【主权项】：
一种功率半导体模块内部连接结构，它包括一预先注塑有铜端子的下壳体，在所述下壳体内还有半导体芯片和绝缘基板，其特征在于所述的铜端子的底部通过超声键合方式与绝缘基板的正面铜层结合在一起；且不同绝缘基板的正面铜层之间也通过铜键合方式直接连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴斯达半导体股份有限公司，未经嘉兴斯达半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510219848.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双向触发异质结型ESD防护器件
- 下一篇：非易失性存储器件的形成方法
