[发明专利]一种自偏置的超宽带低功耗低噪声放大器

摘要

一种自偏置的超宽带低功耗低噪声放大器(LNA)，属于射频集成电路领域。本发明的LNA包含且仅包含一个低频放大级和一个高频放大级。其低频放大级利用有源负载结合电阻负反馈技术同时为本级和后级电路提供偏置，实现了LNA整体电路的自偏置，既简化了电路设计又抑制了电路功率消耗；根据电路本身的结构特点，充分利用键合线的寄生电感优化了电路的高频匹配和噪声性能；高频放大级利用电感峰化技术拓展了LNA的工作频率范围。实施例的LNA可稳定的工作在0.2～6GHz频率范围内，并保持16±1.3dB的增益、<2.8dB的噪声系数和良好的输入匹配。本发明可以用于数字广播、无线局域网、超短波雷达等应用的接收机前端芯片中。

主权项

一种自偏置的超宽带低功耗低噪声放大器，其特征在于：所述超宽带低功耗低噪声放大器包括键合线电感、低频增益放大电路和高频增益放大电路；键合线电感的一端输入外部信号，其另一端连接低频增益放大电路的输入端，信号经低频放大后输出至高频增益放大电路的输入端，低频放大后的信号在高频增益放大电路进行高频放大后输出；所述的低频增益放大电路包括第一NMOS晶体管（M1）、PMOS晶体管（P1）、第一螺旋电感（L1）、第二螺旋电感（L2）和第一电阻（R1），PMOS晶体管（P1）的栅极、第一电阻（R1）的一端和第一螺旋电感（L1）的一端连结形成第一节点（T1），PMOS晶体管（P1）的漏极、第一电阻（R1）的另一端和第一NMOS晶体管（M1）的漏极连结形成第二节点（T2），键合线电感（B1）的另一端连接到第一节点（T1），第一螺旋电感（L1）的另一端连接到第一NMOS晶体管（M1）的栅极，第一NMOS晶体管（M1）的源极经第二螺旋电感（L2）接地，PMOS晶体管（P1）的源极连接电源（VDC），第二节点（T2）输出低频放大后的信号。