[发明专利]整体制冷能工作在零摄氏度以下的半导体激光装置有效
申请号: | 201510222075.9 | 申请日: | 2015-05-05 |
公开(公告)号: | CN104795726B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 彭文翠;李敏;童昕 | 申请(专利权)人: | 中国科学院武汉物理与数学研究所 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024 |
代理公司: | 武汉宇晨专利事务所42001 | 代理人: | 黄瑞棠 |
地址: | 430071*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种整体制冷能工作在零摄氏度以下的半导体激光装置,涉及一种半导体激光器技术领域。本装置的结构主要是在水冷头的上面并列设置有第1半导体制冷片和第2半导体制冷片及激光管底座;在激光管底座的左侧壁中孔设置有半导体激光管,在激光管底座的上面设置有光栅底座;在光栅底座的左侧面设置有光栅;激光器外壳右侧壁中孔设置有橡胶软管,橡胶软管右端连接有氮气瓶。本装置不改变常温半导体激光器的基本机械结构,采用整体制冷、水冷散热以及通干燥气体的方式使激光器正常工作在低温下,使半导体激光管的工作波长移动达5nm,可行性强。 | ||
搜索关键词: | 整体 制冷 工作 摄氏度 以下 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】:
一种整体制冷能工作在零摄氏度以下的半导体激光装置,其特征在于:包括设置在激光器外壳(9)内的激光管底座(1)、半导体激光管(2)、光栅(3)、压电陶瓷(4)、第1螺丝(5a)、第2螺丝(5b)、光栅底座(6)、第1半导体制冷片(7a)、第2半导体制冷片(7b)和水冷头(8);在水冷头(8)的上面并列设置有第1半导体制冷片(7a)和第2半导体制冷片(7b),在第1半导体制冷片(7a)和第2半导体制冷片(7b)的上面设置有激光管底座(1);在激光管底座(1)的左侧壁中孔设置有半导体激光管(2),在激光管底座(1)的上面设置有光栅底座(6);在光栅底座(6)的左侧面设置有光栅(3),在光栅底座(6)的上竖孔设置有第1螺丝(5a),在光栅底座(6)内横孔的左、右端分别设置有压电陶瓷(4)和第2螺丝(5b);激光器外壳(9)右侧壁中孔设置有橡胶软管(10),橡胶软管(10)右端连接有氮气瓶(11);所述激光管底座(1)是一种L形铜块,左侧壁中间设置有圆孔(1a),水平板设置有第1横槽(1b),构成上横板(1c)和下横板(1d);所述的光栅底座(6)是一种锲型铜块,设置有上竖孔(6a)、内横孔(6b)、竖槽(6c)和第2横槽(6d);所述的水冷头(8)包括基板(8a)、四排散热片(8b)和两个宝塔接头(8c);在基板(8a)内设置有四排散热片(8b),在基板(8a)的侧壁设置有两个宝塔接头(8c);所述的激光器外壳(9)包括铝腔体(9a)、三个串口线形状孔(9b)、横孔(9c)、大横孔(9d)和两个小横孔(9e);在铝腔体(9a)左侧壁并列设置有三个串口线形状孔(9b),前壁设置有横孔(9c),右侧壁设置有大横孔(9d)和两个小横孔(9e)。
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