[发明专利]整体制冷能工作在零摄氏度以下的半导体激光装置有效

专利信息
申请号: 201510222075.9 申请日: 2015-05-05
公开(公告)号: CN104795726B 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 彭文翠;李敏;童昕 申请(专利权)人: 中国科学院武汉物理与数学研究所
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024
代理公司: 武汉宇晨专利事务所42001 代理人: 黄瑞棠
地址: 430071*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种整体制冷能工作在零摄氏度以下的半导体激光装置,涉及一种半导体激光器技术领域。本装置的结构主要是在水冷头的上面并列设置有第1半导体制冷片和第2半导体制冷片及激光管底座;在激光管底座的左侧壁中孔设置有半导体激光管,在激光管底座的上面设置有光栅底座;在光栅底座的左侧面设置有光栅;激光器外壳右侧壁中孔设置有橡胶软管,橡胶软管右端连接有氮气瓶。本装置不改变常温半导体激光器的基本机械结构,采用整体制冷、水冷散热以及通干燥气体的方式使激光器正常工作在低温下,使半导体激光管的工作波长移动达5nm,可行性强。
搜索关键词: 整体 制冷 工作 摄氏度 以下 半导体 激光 装置
【主权项】:
一种整体制冷能工作在零摄氏度以下的半导体激光装置,其特征在于:包括设置在激光器外壳(9)内的激光管底座(1)、半导体激光管(2)、光栅(3)、压电陶瓷(4)、第1螺丝(5a)、第2螺丝(5b)、光栅底座(6)、第1半导体制冷片(7a)、第2半导体制冷片(7b)和水冷头(8);在水冷头(8)的上面并列设置有第1半导体制冷片(7a)和第2半导体制冷片(7b),在第1半导体制冷片(7a)和第2半导体制冷片(7b)的上面设置有激光管底座(1);在激光管底座(1)的左侧壁中孔设置有半导体激光管(2),在激光管底座(1)的上面设置有光栅底座(6);在光栅底座(6)的左侧面设置有光栅(3),在光栅底座(6)的上竖孔设置有第1螺丝(5a),在光栅底座(6)内横孔的左、右端分别设置有压电陶瓷(4)和第2螺丝(5b);激光器外壳(9)右侧壁中孔设置有橡胶软管(10),橡胶软管(10)右端连接有氮气瓶(11);所述激光管底座(1)是一种L形铜块,左侧壁中间设置有圆孔(1a),水平板设置有第1横槽(1b),构成上横板(1c)和下横板(1d);所述的光栅底座(6)是一种锲型铜块,设置有上竖孔(6a)、内横孔(6b)、竖槽(6c)和第2横槽(6d);所述的水冷头(8)包括基板(8a)、四排散热片(8b)和两个宝塔接头(8c);在基板(8a)内设置有四排散热片(8b),在基板(8a)的侧壁设置有两个宝塔接头(8c);所述的激光器外壳(9)包括铝腔体(9a)、三个串口线形状孔(9b)、横孔(9c)、大横孔(9d)和两个小横孔(9e);在铝腔体(9a)左侧壁并列设置有三个串口线形状孔(9b),前壁设置有横孔(9c),右侧壁设置有大横孔(9d)和两个小横孔(9e)。
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