[发明专利]一种黄铜矿型薄膜光伏电池及其制作方法在审
申请号: | 201510223339.2 | 申请日: | 2015-05-05 |
公开(公告)号: | CN104882508A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 李艺明;田宏波 | 申请(专利权)人: | 厦门神科太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0749 | 分类号: | H01L31/0749;H01L31/032 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 连耀忠 |
地址: | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种黄铜矿型薄膜光伏电池及其制作方法,该电池包括衬底、覆盖衬底表面的电介质材料层、覆盖电介质材料层的背电极层、覆盖背电极层的含有Na、Bi、和O元素的光吸收层、覆盖含有Na、Bi和O元素的光吸收层的缓冲层和覆盖缓冲层的透明导电窗口层。在该制作方法中,利用含有NaBiO3的Cu-In-Ga靶材或含有NaBiO3的Cu-Ga靶材溅射沉积对光吸收层进行Na掺杂,使光吸收层中含有0.02-1.5at%的钠。本发明既可以实现对CIGS光吸收层中钠含量的精确控制,又可以与背电极层、CIGS光吸收层的预制层的工艺相匹配,而且还可以降低制造成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 黄铜矿 薄膜 电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种黄铜矿型薄膜光伏电池的制作方法,包括光吸收层的制作;其特征在于:在光吸收层的制作过程中,是使用包含有0.1‑15wt%的NaBiO3和85‑99.9wt%的Cu‑In‑Ga的溅射靶材溅射沉积含有NaBiO3的Cu‑In‑Ga合金膜层,或者使用包含有0.1‑18wt%的NaBiO3和82‑99.9wt%的Cu‑Ga的溅射靶材溅射沉积含有NaBiO3的Cu‑Ga合金膜层,使其对CIGS基薄膜光伏材料的光吸收层进行钠掺杂;使光吸收层中含有0.02‑1.5at%的钠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门神科太阳能有限公司,未经厦门神科太阳能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510223339.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:PERC太阳能电池的烧结方法
- 下一篇:转光层材料、转光层与太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的