[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201510224693.7 | 申请日： | 2015-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN105322063B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 郑季豪;黄吉丰;杜升翰 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括基板、第一未掺杂半导体层、第二未掺杂半导体层以及至少一掺杂中间层。第一未掺杂半导体层配置于基板上。第二未掺杂半导体层配置于第一未掺杂半导体层上。掺杂中间层配置于第一未掺杂半导体层与第二未掺杂半导体层之间。掺杂中间层的化学通式为InxAlyGa1‑x‑yN，且0≤x≤1，0≤y≤1。因此，本发明提供的半导体结构能减少晶格差排在厚度方向上的延伸现象且能降低缺陷密度，并改善材料在成长过程中的翘曲情形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基板；多个未掺杂半导体层，配置于所述基板上；以及至少一掺杂中间层，配置于所述未掺杂半导体层的其中两层之间，其中所述掺杂中间层的材料组成包括氮化铝镓基础的(AlGaN based)半导体材料、氮化铟镓基础的(InGaN based)半导体材料或氮化铝铟镓基础的(InAlGaN based)半导体材料；当所述至少一掺杂中间层的数量为复数层时，每一所述至少一掺杂中间层配置于所述未掺杂半导体层的其中两层之间；每一所述掺杂中间层的厚度不相同。
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