[发明专利]多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用有效
申请号: | 201510225006.3 | 申请日: | 2015-05-05 |
公开(公告)号: | CN106191770B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 曾志翔;刘二勇;周军;范锦鹏;乌学东;曹慧军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所;航天材料及工艺研究所 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用。在一实施例之中,该方法包括:选择单晶硅靶为阴极,在氮气气氛下利用磁控溅射沉积技术制备氮化硅封孔涂层,随后采用一定的热处理工艺进行高温烧结,然后利用疏水改性剂进行疏水处理,从而获得多孔氮化硅基封孔涂层,该封孔涂层与多孔氮化硅基材的结合性良好,且具有结构致密、厚度可控、高硬度、低内应力、无宏观缺陷和高透波性等优势,可应用于多种领域。本发明通过多种技术相复合制备氮化硅基封孔涂层,获得了具有优良综合性能的氮化硅基封孔涂层,因而可以实现对多孔氮化硅基体的有效防护。 | ||
搜索关键词: | 多孔 氮化 硅基封孔 涂层 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种多孔氮化硅基封孔涂层的制备方法,其特征在于包括:(1)以等离子体溅射清洗多孔氮化硅基材;(2)采用磁控溅射沉积工艺,以单晶硅靶作为阴极,氩气及氮气作为工作气体,并控制电源功率为600W~1200W,偏压为‑120V,氩气流量为50~100sccm,氮气流量为120~180sccm,磁控溅射沉积时间为5h~60h,从而在所述多孔氮化硅基材上沉积氮化硅基封孔涂层,之后冷却;(3)将对经步骤(2)处理后的基材进行热处理,其中采用的热处理温度为600~1500℃,时间为0.5h~5h,气氛为空气气氛,再冷却至室温;(4)将经步骤(3)处理后的基材浸渍于含有疏水改性剂的水解液中,室温浸泡5~20h,之后在50~80℃继续浸泡2~6h,而后取出,于所述基材上形成疏水氮化硅封孔涂层;其中,所述疏水氮化硅封孔涂层具有主要由Si3N4和Si2N2O球状颗粒组成的致密结构,且所述封孔涂层的硬度为5~15GPa,与多孔氮化硅基体的结合强度大于40N,并具有与所述多孔氮化硅基体一致的热膨胀系数和透波性,同时所述疏水氮化硅封孔涂层与水的接触角为100~130°。
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