[发明专利]一种铟锡氧化物真空还原分离铟和锡的方法有效
申请号: | 201510225619.7 | 申请日: | 2015-05-06 |
公开(公告)号: | CN104818388B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 杨斌;陈巍;戴卫平;速斌;李红;陈浩;简爱华;汤文通;黎文霖;潘建仁;熊恒;邵丹 | 申请(专利权)人: | 昆明鼎邦科技股份有限公司;昆明理工大学 |
主分类号: | C22B7/00 | 分类号: | C22B7/00;C22B25/00;C22B58/00 |
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地址: | 650033 云南省昆明市学府路*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明涉及一种铟锡氧化物真空还原分离铟和锡的方法。将铟锡氧化物通过球磨破碎后加入还原剂混合均匀并制粒,将干燥后的铟锡氧化物颗粒加入到真空炉内,控制炉内真空度、温度、反应时间及保温时间,使铟锡氧化物在真空炉中还原并蒸发达到铟与锡分离的目的。通过真空还原蒸馏分离可得到含锡大于98wt.%、含铟小于0.5wt.%的粗锡合金及含铟大于99wt.%、含锡小于0.2wt.%的粗铟合金。真空蒸馏得到的粗铟合金和粗锡合金可直接电解,得到精铟和精锡。金属直收率可达99%。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化物 真空 还原 分离 方法 | ||
【主权项】:
一种铟锡氧化物真空还原分离铟和锡的方法,将铟锡氧化物通过球磨破碎后加入还原剂混合均匀并制粒,将干燥后的铟锡氧化物颗粒加入到真空炉内,控制炉内真空度、温度、反应时间及保温时间,使铟锡氧化物在真空炉中还原并蒸发达到铟与锡分离,得到的粗铟合金和粗锡合金品位达到电解要求,其特征在于具体步骤如下:步骤1、将铟和锡为任意比例的铟锡氧化物通过球磨破碎至直径小于2mm,然后加入反应所需理论量的1.2~1.6倍的还原剂与铟锡氧化物混合均匀后制成直径为0.1~2 cm的颗粒,在50~120℃下干燥至颗粒含水量小于2%;步骤2、将步骤1所得的铟锡氧化物颗粒加入到真空炉内,控制炉内真空度1~50Pa,采用阶段升温方式,首先升温至900~1000℃保温1~2h,使铟锡氧化物在真空炉中发生初步还原反应;步骤3、待步骤2反应结束后,升温至1300~1500℃时保温0.5~4h,使物料发生深度还原反应,同时使还原反应得到的金属铟锡合金中的铟蒸馏,待保温结束后,得挥发物粗铟及残留物粗锡,反复进行真空蒸馏,使所得粗铟、粗锡达电解要求的指标。
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