[发明专利]一种表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物在审
| 申请号： | 201510226048.9 | 申请日： | 2015-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN104790040A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 查尔斯·罗伯特·克莱恩;罗振林;成民主 | 申请（专利权）人： | 武汉森源驰新科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/62;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 430000 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物，由质量百分比含量为97.5％～99.45％的碳化硅斜方晶须；质量百分比含量为0.01％～0.05％的氧化铝斜方晶须；表面经过Na2SiF6处理且质量百分比为0.01％-0.015％的高岭土制备而成。有上述成分制备获得的复合物较为均匀(大小，均匀性，面的规律性)，这些成分都经过了预处理，能够快速生产，显著降低了生产时间，提高了生产效率。另外，由于成分比例恰当，没有原料的浪费，能够降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 刻蚀 碳化硅 纳米 复合物 | ||
【主权项】：
一种表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物，其特征在于，包括：质量百分比含量为97.5％～99.45％的碳化硅斜方晶须，所述碳化硅斜方晶须的长度为0.5μm‑0.7μm且表面经过湿法刻蚀处理；质量百分比含量为0.01％～0.05％的氧化铝斜方晶须，所述氧化铝斜方晶须的长度为0.7μm内且表面经过刻蚀处理；表面经过Na2SiF6处理且质量百分比为0.01％‑0.015％的高岭土；其中，所述碳化硅斜方晶须、所述氧化铝斜方晶须、所述高岭土一并复合成所述碳化硅纳米晶须复合物，在所述碳化硅纳米晶须复合物中，所述碳化硅斜方晶须处于物理上的分离状态。
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