[发明专利]一种MEMS麦克风的封装结构有效

专利信息
申请号: 201510227099.3 申请日: 2015-05-06
公开(公告)号: CN104822117B 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: 郑国光 申请(专利权)人: 歌尔股份有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;H04R31/00
代理公司: 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 代理人: 马佑平;王昭智
地址: 261031 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种MEMS麦克风的封装结构,包括封装基板以及封装外壳,所述封装外壳设置在封装基板上并与封装基板形成密闭容腔,还包括供声音流入密闭容腔的声孔;所述封装外壳、封装基板、声孔共同构成了亥姆赫兹共振腔,所述亥姆赫兹共振腔内设有MEMS芯片、ASIC芯片;所述亥姆赫兹共振腔的至少部分内壁上设有吸音层。本发明的封装结构,在亥姆赫兹共振腔的内壁上设置有吸音层,该吸音层对高频声波具有一定的吸收能力,对低频声波的吸收较少,可以等效为一“低通滤波器”;通过对高频声波的吸收,可以对声波的高频幅值进行抑制,降低了亥姆赫兹共振腔的高频响应,也就是说,提高了声波的高频截止频率,提高了MEMS麦克风的工作带宽。
搜索关键词: 一种 mems 麦克风 封装 结构
【主权项】:
1.一种MEMS麦克风的封装结构,其特征在于:包括封装基板(1)以及封装外壳(4),所述封装外壳(4)设置在封装基板(1)上并与封装基板(1)形成密闭容腔,还包括供声音流入密闭容腔的声孔(5);所述封装外壳(4)、封装基板(1)、声孔(5)共同构成了亥姆赫兹共振腔,所述亥姆赫兹共振腔内设有MEMS芯片(3)、ASIC芯片(2);所述亥姆赫兹共振腔的至少部分内壁上设有吸附高频声波的吸音层(6)。
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