[发明专利]一种MEMS惯性传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种MEMS惯性传感器及其制造方法，包括衬底，以及分别固定在衬底上端、下端的盖体，两个盖体与衬底分别形成位于衬底两侧的第一容腔、第二容腔；在所述衬底的上端通过中间结合层设有位于第一容腔内的第一敏感结构，在所述衬底的下端通过中间结合层设有位于第二容腔内的第二敏感结构。发明的MEMS惯性传感器，衬底位于芯片的中部，在衬底的上下表面分别键合敏感结构，使得该MEMS惯性传感器具有双层的敏感结构，从而提高了芯片面积的利用率，提升了MEMS惯性传感器的整体性能，使得灵敏度增加了一倍，提高了信噪比；换言之，相比传统的MEMS惯性传感器，在不降低芯片性能的基础上，进一步缩减了MEMS芯片的尺寸，以满足电子产品的小型化发展。

主权项

一种MEMS惯性传感器，其特征在于：包括衬底(1)，以及分别固定在衬底(1)上端、下端的盖体(2)，两个盖体(2)与衬底(1)分别形成位于衬底(1)两侧的第一容腔、第二容腔；在所述衬底(1)的上端通过中间结合层(4)设有位于第一容腔内的第一敏感结构(3)，在所述衬底(1)的下端通过中间结合层(4)设有位于第二容腔内的第二敏感结构(6)，所述第一敏感结构(3)包括第一弹性梁，以及位于第一弹性梁两侧的可动极板C1‑1(30)、可动极板C1‑2(31)，所述第二敏感结构(6)包括第二弹性梁，以及位于第二弹性梁两侧的可动极板C2‑1(60)、可动极板C2‑2(61)；所述衬底(1)的上端设有与可动极板C1‑1(30)构成C1电容结构的固定极板C3‑1(80)，以及与可动极板C1‑2(31)构成C2电容结构的固定极板C3‑2(81)；所述衬底(1)的下端设有与可动极板C2‑1(60)构成C3电容结构的固定极板C4‑1(82)，以及与可动极板C2‑2(61)构成C4电容结构的固定极板C4‑2(83)。